trusted
255
редагувань
Відмінності між версіями «Кафедра хімії та технологій»
Матеріал з wiki.vnu.edu.ua
Кафедра хімії та технологій (переглянути вихідний код)
Версія за 06:29, 10 червня 2021
, 06:29, 10 червня 2021нема опису редагування
| Рядок 61: | Рядок 61: | ||
=== Патенти: === | === Патенти: === | ||
* Пат. 115555 Україна, МПК С30В 1/00 “Спосіб одержання монокристалів Ga<sub>5,94</sub>In<sub>3,96</sub>Er<sub>0,1</sub>Se<sub>15</sub>” / І.Д. Олексеюк, І.А. Іващенко, І.В. Данилюк, В.В. Галян, В.З.Панкевич, 25.04.2017 http://base.ukrpatent.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=207790 | |||
* Пат. 115554 Україна, МПК С30В 1/00 “Спосіб одержання монокристалів Ga<sub>5,46</sub>In<sub>4,47</sub>Er<sub>0,07</sub>S<sub>15</sub>” / І.Д. Олексеюк, І.А. Іващенко, І.В. Данилюк, В.В. Галян, В.З.Панкевич, 25.04.2017 http://base.ukrpatent.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=234570 | |||
* Пат. 135212 Україна, МПК С30В 1/00. Спосіб одержання монокристалу (Ga<sub>69,75</sub>La<sub>29,75</sub>Er<sub>0,5</sub>)<sub>2</sub>S<sub>300</sub> / Олексеюк І. Д., Іващенко І. А., Галян В. В., Панкевич В. З., Тищенко П. В., Козак В. С.; заявник та патентовласник Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки. – № u2018 12960; заяв. 27.12.18; опубл. 25.06.19, Бюл. № 12. http://base.ukrpatent.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=259587 | |||
* О.В., Юрченко О.М., Піскач Л.В, Чернюшок О.І. (UA) Патент України на корисну модель № 127740, С30В 11/00. № u201800475; Заявл. 17.01.2018; Опубл. 27.08.2018; Бюл. №16, 2018 р.https://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=250245 | |||
* Спосіб отримання монокристалів AgGaGe<sub>3</sub><sub>-x</sub>Si<sub>x</sub>Se<sub>8</sub> (x=0,15; 0,3; 0,6; 0,9) / Юрченко О. М., Піскач Л. В., Панкевич В. З., Мирончук Г. Л. (UA) Патент України на корисну модель № 143575, С30В 11/00 № u201910943; Заявл. 06.11.2019; Опубл. 10.08.2020; Бюл. №15, 2020 р. https://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=270384 | |||
* Спосіб отримання монокристалів Tl<sub>1-X</sub>In<sub>1-X</sub>Sn<sub>X</sub>Se<sub>2</sub> (X=0,0.1, 0.2, 0.25) / / Юрченко О. М., Піскач Л. В., Панкевич В. З., Цісар О. В. (UA) Патент України на корисну модель № 145756, С30В 11/00 № u201910933; Заявл. 06.11.2019; Опубл. 06.01.2021; Бюл. № 1, 2021 р. https://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=273465 | |||
* Спосіб отримання монокристалів PbGa<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub> Юрченко О. М., Піскач Л. В., Когут Ю. М., Цісар О. В. (UA) Патент України на корисну модель № 145757, С30В 11/00 № u201910934; Заявл. 06.11.2019; Опубл. 06.01.2021; Бюл. № 1, 2021 р. https://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=273466 | |||
=== Навчально-методичні праці: === | === Навчально-методичні праці: === | ||
