Анонім

Відмінності між версіями «Кафедра хімії та технологій»

Матеріал з wiki.vnu.edu.ua
нема опису редагування
Рядок 68: Рядок 68:
* Спосіб отримання монокристалів Tl<sub>1-X</sub>In<sub>1-X</sub>Sn<sub>X</sub>Se<sub>2</sub> (X=0,0.1, 0.2, 0.25) / / Юрченко О. М., Піскач Л. В., Панкевич В. З., Цісар О. В. (UA) Патент України на корисну модель № 145756, С30В 11/00  № u201910933; Заявл. 06.11.2019; Опубл. 06.01.2021; Бюл. № 1, 2021 р. https://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=273465
* Спосіб отримання монокристалів Tl<sub>1-X</sub>In<sub>1-X</sub>Sn<sub>X</sub>Se<sub>2</sub> (X=0,0.1, 0.2, 0.25) / / Юрченко О. М., Піскач Л. В., Панкевич В. З., Цісар О. В. (UA) Патент України на корисну модель № 145756, С30В 11/00  № u201910933; Заявл. 06.11.2019; Опубл. 06.01.2021; Бюл. № 1, 2021 р. https://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=273465
* Спосіб отримання монокристалів PbGa<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub> Юрченко О. М., Піскач Л. В., Когут Ю. М., Цісар О. В. (UA) Патент України на корисну модель № 145757, С30В 11/00  № u201910934; Заявл. 06.11.2019; Опубл. 06.01.2021; Бюл. № 1, 2021 р. https://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=273466
* Спосіб отримання монокристалів PbGa<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub> Юрченко О. М., Піскач Л. В., Когут Ю. М., Цісар О. В. (UA) Патент України на корисну модель № 145757, С30В 11/00  № u201910934; Заявл. 06.11.2019; Опубл. 06.01.2021; Бюл. № 1, 2021 р. https://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=273466
=== Навчально-методичні праці: ===
#


=== Окремі наукові праці за останні 5 років: ===
=== Окремі наукові праці за останні 5 років: ===
trusted
255

редагувань