Відмінності між версіями «Навчально-наукова лабораторія росту кристалів»
Перейти до навігації
Перейти до пошуку
(Створена сторінка: Вирощені монокристали|міні * Проводяться наукові дослідження, що сто...) |
|||
| Рядок 1: | Рядок 1: | ||
[[Файл:Single crystals.jpg|Вирощені монокристали|міні]] | [[Файл:Single crystals.jpg|Вирощені монокристали |міні]] | ||
* Проводяться наукові дослідження, що стосуються вирощування халько- та галогенідних монокристалів, з покращеними характеристиками, і можуть знайти застосування для генерації випромінювання лазерів, детекторів іонізуючого випромінювання, фотодатчиків, тощо. | * Проводяться наукові дослідження, що стосуються вирощування халько- та галогенідних монокристалів, з покращеними характеристиками, і можуть знайти застосування для генерації випромінювання лазерів, детекторів іонізуючого випромінювання, фотодатчиків, тощо. | ||
* Технологія росту кристалів AgGaGeS<sub>4</sub> і AgGaGe<sub>3</sub>Se<sub>8</sub>, що є тетрарними аналогами AgGaS<sub>2</sub>, AgGaSe<sub>2</sub> , та їх застосування, запатентовано і, при виявленні зацікавлених сторін – можлива комерційна реалізація. | * Технологія росту кристалів AgGaGeS<sub>4</sub> і AgGaGe<sub>3</sub>Se<sub>8</sub>, що є тетрарними аналогами AgGaS<sub>2</sub>, AgGaSe<sub>2</sub> , та їх застосування, запатентовано і, при виявленні зацікавлених сторін – можлива комерційна реалізація. | ||
Версія за 06:46, 18 червня 2021
Файл:Single crystals.jpg
Вирощені монокристали
- Проводяться наукові дослідження, що стосуються вирощування халько- та галогенідних монокристалів, з покращеними характеристиками, і можуть знайти застосування для генерації випромінювання лазерів, детекторів іонізуючого випромінювання, фотодатчиків, тощо.
- Технологія росту кристалів AgGaGeS4 і AgGaGe3Se8, що є тетрарними аналогами AgGaS2, AgGaSe2 , та їх застосування, запатентовано і, при виявленні зацікавлених сторін – можлива комерційна реалізація.
Устаткування лабораторії
- три промислові ростові печі (метод Бріджмена) виробництва ТОВ НВФ «СМІ Лаб», одна із яких – для росту кристалів із застосуванням протитиску;
- піч DN–12 (горизонтальний варіант методу Бріджмена, “Toshiba”, Японія);
- декілька печей власного виробництва для методу Бріджмена-Стокбаргера;
- печі власного виробництва для методу хімічних транспортних реакцій.