Анонім

Відмінності між версіями «Данилюк Ірина Вікторівна»

Матеріал з wiki.vnu.edu.ua
нема опису редагування
 
Рядок 22: Рядок 22:
=== Статті ===
=== Статті ===
# Ivashchenko I. A., Danyliuk I. V., Gulay L. D., Halyan V. V., Olekseyuk I. D. Isothermal sections of the quasi-ternary systems
# Ivashchenko I. A., Danyliuk I. V., Gulay L. D., Halyan V. V., Olekseyuk I. D. Isothermal sections of the quasi-ternary systems
# Ag2S(Se)–Ga2S(Se)3–In2S(Se)3 at 820 K and the physical properties of the ternary phases Ga5.5In4.5S15, Ga6In4Se15 and
Ag2S(Se)–Ga2S(Se)3–In2S(Se)3 at 820 K and the physical properties of the ternary phases Ga5.5In4.5S15, Ga6In4Se15 and
# Ga5.5In4.5S15:Er3+, Ga6In4Se15:Er3+ // J. Solid State Chem. 2016. V. 237. P. 113–120.
Ga5.5In4.5S15:Er3+, Ga6In4Se15:Er3+ // J. Solid State Chem. 2016. V. 237. P. 113–120.
# Khyzhun O. Y., Halyan V. V., Danyliuk I. V., Ivashchenko I. A. Electronic structure of (Ga55In45)2S300 and
# Khyzhun O. Y., Halyan V. V., Danyliuk I. V., Ivashchenko I. A. Electronic structure of (Ga55In45)2S300 and
# (Ga54,59In44,66Er0,75)2S300 single crystals // J Mater Sci: Mater Electron. 2016. V. 27, Issue 4. P. 3258–3264.
(Ga54,59In44,66Er0,75)2S300 single crystals // J Mater Sci: Mater Electron. 2016. V. 27, Issue 4. P. 3258–3264.
# Ivashchenko I. A., Danyliuk I. V., Olekseyuk I. D., Pankevych V.Z., Halyan V. V. Phase equilibria in the quasiternary system
# Ivashchenko I. A., Danyliuk I. V., Olekseyuk I. D., Pankevych V.Z., Halyan V. V. Phase equilibria in the quasiternary system
# Ag2S–Ga2S3–In2S3 and optical properties of (Ga55In45)2S300, (Ga54,59In44,66Er0,75)2S300 single crystals // J. Solid State Chem. 2015.
Ag2S–Ga2S3–In2S3 and optical properties of (Ga55In45)2S300, (Ga54,59In44,66Er0,75)2S300 single crystals // J. Solid State Chem. 2015.
# V. 227. P. 255–264.
V. 227. P. 255–264.
# Ivashchenko I. A., Danyliuk I. V., Olekseyuk I. D., Halyan V. V. Phase equilibria in the quasi-ternary system Ag2Se–Ga2Se3–In2Se3
# Ivashchenko I. A., Danyliuk I. V., Olekseyuk I. D., Halyan V. V. Phase equilibria in the quasi-ternary system Ag2Se–Ga2Se3–In2Se3
# and physical properties of (Ga0,6In0,4)2Se3, (Ga0,594In0,396Er0.01)2Se3 single crystals // J. Solid State Chem. 2014. V. 210. P. 102–110.
and physical properties of (Ga0,6In0,4)2Se3, (Ga0,594In0,396Er0.01)2Se3 single crystals // J. Solid State Chem. 2014. V. 210. P. 102–110.
# Ivashchenko I. A., Halyan V. V., Danyliuk I. V., Pankevych V.Z., Davydyuk G. Ye., Olekseyuk I. D. Growth, optical absorption
# Ivashchenko I. A., Halyan V. V., Danyliuk I. V., Pankevych V.Z., Davydyuk G. Ye., Olekseyuk I. D. Growth, optical absorption
# and resistivity of (Ga0,6In0,4)2Se3 and (Ga0,594In0,396Er0,01)2Se3 single crystals // Solid State Phenom. 2013. V. 200. P. 50–53.
and resistivity of (Ga0,6In0,4)2Se3 and (Ga0,594In0,396Er0,01)2Se3 single crystals // Solid State Phenom. 2013. V. 200. P. 50–53.
# Данилюк І., Іващенко I., Олексеюк І. Політермічний переріз AgIn5S8–GaInS3 // Науковий вісник Східноєвропейського
# Данилюк І., Іващенко I., Олексеюк І. Політермічний переріз AgIn5S8–GaInS3 // Науковий вісник Східноєвропейського
# національного університету імені Лесі Українки. Хімічні науки. 2013. № 23. C. 86–88.
національного університету імені Лесі Українки. Хімічні науки. 2013. № 23. C. 86–88.
# Ivashchenko I. A., Danyliuk I. V., Olekseyuk I. D. Phase diagrams of the AgIn5Se8–AgGaSe2 and AgIn5Se8–Ga2Se3 systems of the
# Ivashchenko I. A., Danyliuk I. V., Olekseyuk I. D. Phase diagrams of the AgIn5Se8–AgGaSe2 and AgIn5Se8–Ga2Se3 systems of the
# quasi-ternary system Ag2Se–Ga2Se3–In2Se3 // Chem. Met. Alloys. 2012. V. 5. P. 33–36.
quasi-ternary system Ag2Se–Ga2Se3–In2Se3 // Chem. Met. Alloys. 2012. V. 5. P. 33–36.
# Олексеюк І., Іващенко I., Данилюк І. Діаграма стану системи AgGaS2–AgIn5S8 // Науковий вісник Волинського
# Олексеюк І., Іващенко I., Данилюк І. Діаграма стану системи AgGaS2–AgIn5S8 // Науковий вісник Волинського
# національного університету імені Лесі Українки. Хімічні науки. 2012. № 17. C. 78–80.
національного університету імені Лесі Українки. Хімічні науки. 2012. № 17. C. 78–80.
# Олексеюк І. Д., Іващенко I. А, Данилюк І. В., Гулай Л. Д. Система Ga2Se3–In2Se3 // Науковий вісник Волинського
# Олексеюк І. Д., Іващенко I. А, Данилюк І. В., Гулай Л. Д. Система Ga2Se3–In2Se3 // Науковий вісник Волинського
# національного університету імені Лесі Українки. Хімічні науки. 2010. № 16 С. 42–50.
національного університету імені Лесі Українки. Хімічні науки. 2010. № 16 С. 42–50.
# Олексеюк І. Д., Іващенко I. А, Данилюк І. В. Cистеми AgInSe2–AgGaSe2 та AgInSe2–Ag9GaSe6 // Науковий вісник
# Олексеюк І. Д., Іващенко I. А, Данилюк І. В. Cистеми AgInSe2–AgGaSe2 та AgInSe2–Ag9GaSe6 // Науковий вісник
# Волинського національного університету імені Лесі Українки. Хімічні науки. 2010. № 30. С. 7–10.
Волинського національного університету імені Лесі Українки. Хімічні науки. 2010. № 30. С. 7–10.
Патенти
=== Патенти ===
1. Пат. 95507 Україна, МПК С30В 11/00. Спосіб одержання монокристалів (Ga55In45)2S300 / Олексеюк І. Д., Іващенко І. А.,
# Пат. 95507 Україна, МПК С30В 11/00. Спосіб одержання монокристалів (Ga55In45)2S300 / Олексеюк І. Д., Іващенко І. А.,
Данилюк І. В., Галян В. В., Панкевич В. З.; заявник та патентовласник Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки. – № u2014
Данилюк І. В., Галян В. В., Панкевич В. З.; заявник та патентовласник Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки. – № u2014
07822; заяв. 11.07.14; опубл. 25.12.14, Бюл. № 24. – 4 с.
07822; заяв. 11.07.14; опубл. 25.12.14, Бюл. № 24. – 4 с.
2. Пат. 95506 Україна, МПК С30В 11/00. Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів / Олексеюк І. Д.,
# Пат. 95506 Україна, МПК С30В 11/00. Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів / Олексеюк І. Д.,
Іващенко І. А., Данилюк І. В., Галян В. В., Панкевич В. З.; заявник та патентовласник Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки. –
Іващенко І. А., Данилюк І. В., Галян В. В., Панкевич В. З.; заявник та патентовласник Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки. –
№ u2014 07820; заяв. 11.07.14; опубл. 25.12.14, Бюл. № 24. – 4 с.
№ u2014 07820; заяв. 11.07.14; опубл. 25.12.14, Бюл. № 24. – 4 с.
trusted
215

редагувань