Кафедра неорганічної та фізичної хімії: відмінності між версіями
Матеріал з wiki.vnu.edu.ua
| Рядок 66: | Рядок 66: | ||
=== Патенти: === | === Патенти: === | ||
2020 | 2020 <br> | ||
26. Спосіб отримання монокристалів AgGaGe3-xSixSe8 (x=0,15; 0,3; 0,6; 0,9): пат. 143575. Юрченко О. М., Піскач Л.В., Панкевич В.З., Мирончук Г.Л. МПК С30В 11/00; № u201910943; заявл. 17.11.2019; опубл. 10.08.2020; бюл. №15/2020. | 26. Спосіб отримання монокристалів AgGaGe3-xSixSe8 (x=0,15; 0,3; 0,6; 0,9): пат. 143575. Юрченко О. М., Піскач Л.В., Панкевич В.З., Мирончук Г.Л. МПК С30В 11/00; № u201910943; заявл. 17.11.2019; опубл. 10.08.2020; бюл. №15/2020. | ||
2021 | 2021<br> | ||
1. Спосіб отримання монокристалів Tl1-XIn1-XSnXSe2 (X=0,0.1, 0.2, 0.25) : пат. 145756. Юрченко О. М. , Піскач Л. В., Панкевич В. З., Цісар О.В. С30В 11/00; № u201910933; заявл. 6.11.2019; опубл. 6.01.2021; бюл. №1/2021. | 1. Спосіб отримання монокристалів Tl1-XIn1-XSnXSe2 (X=0,0.1, 0.2, 0.25) : пат. 145756. Юрченко О. М. , Піскач Л. В., Панкевич В. З., Цісар О.В. С30В 11/00; № u201910933; заявл. 6.11.2019; опубл. 6.01.2021; бюл. №1/2021. | ||
2. Спосіб отримання монокристалів PbGa2GeSe6: пат. 145757. Юрченко О. М. , Піскач Л. В., Когут Ю.М., Цісар О.В. С30В 11/00; № u201910934; заявл. 6.11.2019; опубл. 6.01.2021; бюл. №1/2021. | 2. Спосіб отримання монокристалів PbGa2GeSe6: пат. 145757. Юрченко О. М. , Піскач Л. В., Когут Ю.М., Цісар О.В. С30В 11/00; № u201910934; заявл. 6.11.2019; опубл. 6.01.2021; бюл. №1/2021. <br> | ||
3. Спосіб отримання монокристалів TlInSnS4: пат. № 147877. Юрченко О.М., Піскач Л.В., Цісар О.В, Кормош Ж.О., Мацьків О.О., Решетняк С.О., Головацький В.А. МПК51 C30B 11/00; № u 202100706; заявл. 17.02.2021; опубл. 16.06.2021, бюл. № 24,2021. | |||
3. Спосіб отримання монокристалів TlInSnS4: пат. № 147877. Юрченко О.М., Піскач Л.В., Цісар О.В, Кормош Ж.О., Мацьків О.О., Решетняк С.О., Головацький В.А. МПК51 C30B 11/00; № u 202100706; заявл. 17.02.2021; опубл. 16.06.2021, бюл. № 24,2021.<br> | |||
4. Спосіб отримання монокристалів TlInGe2Se6: пат. № 147879. Юрченко О.М., Піскач Л.В., Цісар О.В, Кормош Ж.О., Мацьків О.О., Решетняк С.О., Головацький В.А. МПК51 C30B 11/00; № u 202100731; заявл. 18.02.2021; опубл. 16.06.2021, Бюл. № 24/2021. | 4. Спосіб отримання монокристалів TlInGe2Se6: пат. № 147879. Юрченко О.М., Піскач Л.В., Цісар О.В, Кормош Ж.О., Мацьків О.О., Решетняк С.О., Головацький В.А. МПК51 C30B 11/00; № u 202100731; заявл. 18.02.2021; опубл. 16.06.2021, Бюл. № 24/2021. | ||
5. Спосіб отримання монокристалів Tl4HgI6: пат. 147880. Юрченко О.М., Піскач Л.В., Панкевич В.З., Левковець С.І., Кормош Ж.О., Мацьків О.О. МПК C30B 11/00. № u 202100740; заявл. 18.02.2021; опубл. 16.06.2021; бюл. № 24/2021. | 5. Спосіб отримання монокристалів Tl4HgI6: пат. 147880. Юрченко О.М., Піскач Л.В., Панкевич В.З., Левковець С.І., Кормош Ж.О., Мацьків О.О. МПК C30B 11/00. № u 202100740; заявл. 18.02.2021; опубл. 16.06.2021; бюл. № 24/2021. | ||
