Відмінності між версіями «Навчально-наукова лабораторія росту кристалів»
Перейти до навігації
Перейти до пошуку
Рядок 8: | Рядок 8: | ||
# декілька печей власного виробництва для методу Бріджмена-Стокбаргера; | # декілька печей власного виробництва для методу Бріджмена-Стокбаргера; | ||
# печі власного виробництва для методу хімічних транспортних реакцій. | # печі власного виробництва для методу хімічних транспортних реакцій. | ||
[[Файл:Example.mp4|Example.mp4]] |
Поточна версія на 11:25, 13 липня 2021
- Проводяться наукові дослідження, що стосуються вирощування халько- та галогенідних монокристалів, з покращеними характеристиками, і можуть знайти застосування для генерації випромінювання лазерів, детекторів іонізуючого випромінювання, фотодатчиків, тощо.
- Технологія росту кристалів AgGaGeS4 і AgGaGe3Se8, що є тетрарними аналогами AgGaS2, AgGaSe2 , та їх застосування, запатентовано і, при виявленні зацікавлених сторін – можлива комерційна реалізація.
Устаткування лабораторії
- три промислові ростові печі (метод Бріджмена) виробництва ТОВ НВФ «СМІ Лаб», одна із яких – для росту кристалів із застосуванням протитиску;
- піч DN–12 (горизонтальний варіант методу Бріджмена, “Toshiba”, Японія);
- декілька печей власного виробництва для методу Бріджмена-Стокбаргера;
- печі власного виробництва для методу хімічних транспортних реакцій.