Навчально-наукова лабораторія росту кристалів
Версія від 06:47, 18 червня 2021, створена Oleksandr Smitiukh (обговорення | внесок)
- Проводяться наукові дослідження, що стосуються вирощування халько- та галогенідних монокристалів, з покращеними характеристиками, і можуть знайти застосування для генерації випромінювання лазерів, детекторів іонізуючого випромінювання, фотодатчиків, тощо.
- Технологія росту кристалів AgGaGeS4 і AgGaGe3Se8, що є тетрарними аналогами AgGaS2, AgGaSe2 , та їх застосування, запатентовано і, при виявленні зацікавлених сторін – можлива комерційна реалізація.
Устаткування лабораторії
- три промислові ростові печі (метод Бріджмена) виробництва ТОВ НВФ «СМІ Лаб», одна із яких – для росту кристалів із застосуванням протитиску;
- піч DN–12 (горизонтальний варіант методу Бріджмена, “Toshiba”, Японія);
- декілька печей власного виробництва для методу Бріджмена-Стокбаргера;
- печі власного виробництва для методу хімічних транспортних реакцій.