Відмінності між версіями «Навчально-наукова лабораторія росту кристалів»

Матеріал з wiki.vnu.edu.ua
Перейти до навігації Перейти до пошуку
(Створена сторінка: Вирощені монокристали|міні * Проводяться наукові дослідження, що сто...)
 
Рядок 1: Рядок 1:
[[Файл:Single crystals.jpg|Вирощені монокристали|міні]]
[[Файл:Single crystals.jpg|Вирощені монокристали |міні]]
* Проводяться наукові дослідження, що стосуються вирощування халько- та галогенідних монокристалів, з покращеними характеристиками, і можуть знайти застосування для генерації випромінювання лазерів, детекторів іонізуючого випромінювання, фотодатчиків, тощо.  
* Проводяться наукові дослідження, що стосуються вирощування халько- та галогенідних монокристалів, з покращеними характеристиками, і можуть знайти застосування для генерації випромінювання лазерів, детекторів іонізуючого випромінювання, фотодатчиків, тощо.  
* Технологія росту кристалів AgGaGeS<sub>4</sub> і AgGaGe<sub>3</sub>Se<sub>8</sub>, що є тетрарними аналогами AgGaS<sub>2</sub>, AgGaSe<sub>2</sub> , та їх застосування, запатентовано і, при виявленні зацікавлених сторін – можлива комерційна реалізація.  
* Технологія росту кристалів AgGaGeS<sub>4</sub> і AgGaGe<sub>3</sub>Se<sub>8</sub>, що є тетрарними аналогами AgGaS<sub>2</sub>, AgGaSe<sub>2</sub> , та їх застосування, запатентовано і, при виявленні зацікавлених сторін – можлива комерційна реалізація.  

Версія за 06:46, 18 червня 2021

Файл:Single crystals.jpg
Вирощені монокристали
  • Проводяться наукові дослідження, що стосуються вирощування халько- та галогенідних монокристалів, з покращеними характеристиками, і можуть знайти застосування для генерації випромінювання лазерів, детекторів іонізуючого випромінювання, фотодатчиків, тощо.
  • Технологія росту кристалів AgGaGeS4 і AgGaGe3Se8, що є тетрарними аналогами AgGaS2, AgGaSe2 , та їх застосування, запатентовано і, при виявленні зацікавлених сторін – можлива комерційна реалізація.

Устаткування лабораторії

  1. три промислові ростові печі (метод Бріджмена) виробництва ТОВ НВФ «СМІ Лаб», одна із яких – для росту кристалів із застосуванням протитиску;
  2. піч DN–12 (горизонтальний варіант методу Бріджмена, “Toshiba”, Японія);
  3. декілька печей власного виробництва для методу Бріджмена-Стокбаргера;
  4. печі власного виробництва для методу хімічних транспортних реакцій.