trusted
714
редагувань
Efivt (обговорення | внесок) |
Efivt (обговорення | внесок) |
||
Рядок 33: | Рядок 33: | ||
== Обрані праці == | == Обрані праці == | ||
* | * Мирончук Г.Л., Кевшин А.Г., Галян В.В. Фізика ядра і елементарних частинок : задачі. Луцьк : Вежа-Друк, 2022.28 с. Рекомендовано НМР ВНУ ім. Лесі Українки (протокол № 1 від 21.09.2022 р.). | ||
* | * Мирончук Г.Л., Кевшин А.Г. Фізика ядра і елементарних частинок : методичні рекомендації до лабораторних робіт. Луцьк : Вежа-Друк, 2022.43 с. Рекомендовано НМР ВНУ ім. Лесі Українки (протокол № 1 від 21.09.2022 р.). | ||
* | * Rudysh M. Y., Shchepanskyi P. A. , Fedorchuk A. O. , Brik M. G. , C.-G. Ma, G. L. Myronchuk, M. Piasecki. First-principles analysis of physical properties anisotropy for the Ag2SiS3 chalcogenide semiconductor. Journal of Alloys and Compounds 826 (2020) 154232 DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.154232 (Scopus) | ||
* Antony А., P. Poornesh, Kityk I. V., Ozga К, Jedryka J. , Myronchuk G , S. Kulkarni D , G. Sanjeev, Chandra Petwal V., Dwivedi J. and V. Pal Verma. Defect engineering, microstructural examination and improvement of ultrafast third harmonic generation in GaZnO nanostructures: A study of e-beam irradiation. Phys. Chem. Chem. Phys. 22 (2020) 4252-4265 https://doi.org/10.1039/C9CP06323D (Scopus) | |||
* A. A. Lavrentyev, B. V. Gabrelian, T. V. Vu, L. N. Ananchenko, G. L. Myronchuk, O. V. Parasyuk, V. A. Tkach, K. I. Kopylova, O. Y. Khyzhun. Electronic and optical properties of quaternary sulfide Tl2HgSnS4, a promising optoelectronic semiconductor: A combined experimental and theoretical study. Optical Materials 92 (2019) 294-302. | |||
* G. L. Myronchuk, G. Lakshminarayana, I. V. Kityk, A. O. Fedorchuk, R. O. Vlokh, V. R. Kozer, O. V. Parasyuk, M. Piasecki. AgGaGeS4 crystal as promising optoelectronic material. Chalcogenide Lett. Vol. 15, № 3. (2018) P. 151–156. | |||
== Контакти == | == Контакти == |